Parametri CC
Corrente di drenaggio di saturazione (IDSS): definita come corrente di drenaggio quando la tensione di gate-sorgente è zero, ma la tensione di drain-sorgente è maggiore della tensione di pinch-off.
Tensione di riduzione-off (UP): definita come l'UGS richiesto per ridurre l'ID a una corrente molto piccola quando UDS è costante.
Tensione di decollo-off (UT): definita come l'UGS richiesto per portare l'ID a un determinato valore quando UDS è costante.
Parametri CA
I parametri CA possono essere suddivisi in due categorie: resistenza di uscita e transconduttanza a bassa-frequenza. La resistenza di uscita è generalmente compresa tra decine e centinaia di kilohm, mentre la transconduttanza a bassa-frequenza è generalmente nell'intervallo da pochi decimi a pochi millisievert, con alcuni che raggiungono i 100 ms o anche di più.
Transconduttanza a bassa-frequenza (gm): descrive l'effetto di controllo della tensione di gate-sorgente sulla corrente di drain.
Capacità inter-elettrodo: la capacità tra i tre elettrodi di un MOSFET. Un valore più piccolo indica prestazioni migliori del transistor.
Parametri limitanti
① Corrente di drenaggio massima: il limite superiore della corrente di drenaggio consentita durante il normale funzionamento del transistor.
② Massima dissipazione di potenza: la potenza nel transistor, limitata dalla temperatura operativa massima del transistor.
③ Tensione sorgente di drenaggio massima-: la tensione alla quale si verifica il guasto a valanga, quando la corrente di drenaggio inizia a salire bruscamente.
④ Tensione massima gate-sorgente: la tensione alla quale la corrente inversa tra gate e sorgente inizia ad aumentare bruscamente.
Oltre ai parametri di cui sopra, ci sono altri parametri come la capacità inter-dell'elettrodo e i parametri dell'alta-frequenza.
Tensione di scarico e di rottura della sorgente: quando la corrente di scarico aumenta bruscamente, si verifica l'UDS (Upper Demand) durante la rottura della valanga.
Tensione di rottura del gate: durante il normale funzionamento di un transistor a effetto di campo a giunzione-(JFET), la giunzione PN tra il gate e la sorgente è polarizzata-inversa. Se la corrente è troppo elevata si verificherà un guasto.
I principali parametri su cui focalizzarsi durante l’utilizzo sono:
1. IDSS-Drenaggio di saturazione-corrente sorgente. Si riferisce alla corrente sorgente di drain-in un transistor a effetto di campo-gate-isolato di tipo a giunzione o a svuotamento quando la tensione di gate UGS=0.
2. Tensione UP-Pizzica-off. 3. **UT-Tensione-on:** La tensione di gate alla quale la giunzione di drain-sorgente è appena disattivata in un transistor a effetto di campo-di tipo a giunzione-o a svuotamento-isolato di tipo-gate di campo-transistor (IGFET).
4. gM-Transconduttanza: rappresenta la capacità di controllo della tensione di gate-source UGS sull'ID della corrente di drain, ovvero il rapporto tra la variazione dell'ID della corrente di drain e la variazione della tensione di gate-source UGS. gM è un parametro importante per misurare la capacità di amplificazione di un IGFET.
5. Tensione di guasto sorgente BUDS-Drain-: la tensione sorgente di drain-massima che l'IGFET può sopportare durante il normale funzionamento quando la tensione source di gate-UGS è costante. Questo è un parametro limitante; la tensione operativa applicata all'IGFET deve essere inferiore a BUDS.
6.PDSM-Dissipazione massima di potenza: anch'esso un parametro limitante, si riferisce alla massima dissipazione di potenza consentita della sorgente-senza degradare le prestazioni dell'IGFET. Durante l'uso, il consumo energetico effettivo dell'IGFET dovrebbe essere inferiore a PDSM con un certo margine. 7. **IDSM-Drenaggio massimo-Corrente di sorgente:** IDSM è un parametro limitante che si riferisce alla corrente massima consentita per il passaggio tra il drain e la sorgente di un transistor a effetto di campo (FET)-durante il normale funzionamento. La corrente operativa del FET non deve superare l'IDSM.
